鈣鈦礦太陽能電池鈣鈦礦層成膜不理想

鈣鈦礦太陽能電池的結(jié)構(gòu)(a)和典型ABX3型立方晶體結(jié)構(gòu)(b)

Q;

做鈣鈦礦太陽能電池已經(jīng)一年多了，但是效率十分不穩(wěn)定 做過一步法 二步法 高溫TiO2???低溫 ZnO 反式 各類電池,但是效率卻不盡理想(<10%) ,個人認為鈣鈦礦層問題比較大(霧面/有反溶劑的痕跡/縮孔等)??想請問能否分享將鈣鈦礦層(MAI+PbI2)涂布好的方法?

還有一般常見的組合 ITO/PEDOT/Perovskite/PCBM//BCP/Ag 有些paper 卻是 ITO/PEDOT/Perovskite/PCBM/Ag 的組合 想請問PCBM跟Ag究竟能否匹配?

A:

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我認為你目前應該optimize你的perovskite layer 先 ，讓你的perovskite layer uniform，沒有霧面/沒有反溶劑的痕跡/沒縮孔等。
再說perovskite layer 是nanoscale的東西，出現(xiàn)這些defect/因素，肯定會影響你的device
比方說charge extraction to electrode.
至于pcbm跟Ag合不合，我覺得少許會影響，因為pcbm的LUMO level是4.0 eV，而 Ag 的workfunction 是4.2 eV（pristine）到5.1 eV （oxidized）,除非你再加一層layer在pcbm和Ag之間，但要確定那layer的work function 一定要falls在4.0 eV 到 4.5 eV
希望可以幫助到你，謝謝。

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一般來說TiO2或ZnO等電荷傳輸材料不會有太大影響，問題可能主要出在perovskite薄膜了，不知SEM表征如何？
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目前是 1.2M Perovskite in DMF??反溶劑是toluene 一步法??太吃技巧 請問有什麼推薦的方法嗎

我覺得你可以先降低前驅(qū)體濃度試試，我也是剛開始做沒多久，可能是自己手法還不熟練吧，我用1.2M的濃度膜就會容易花掉，目前用1M的前驅(qū)體濃度，溶劑是DMF MSO=4:1.比較容易涂出鏡面透亮的膜，效率也還可以。至于反溶劑的滴加手法，這個真是技術(shù)活，還是得多加練習，我一開始也是經(jīng)常有反溶劑的痕跡，Zui近基本上沒有了，這個得多練。