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光刻技術(shù)目前研究的熱點是將光刻光源的波長推向極短波長，而美國馬里蘭大學(xué)的一個研究小組則在研究一種基于可見光波長的多光子光阻膠技術(shù)，這種光刻技術(shù)可以實現(xiàn)納米級的光刻解析度，其解析度與曝光時間成反比。

該小組的成員John Fourkas教授表示：“目前大多數(shù)以提高解析度為目的的方案都采用的是短波長光源技術(shù)，而我們的目的則是利用可見光光源光刻出納米尺寸級別的圖形?！?/p>

Fourkas教授介紹說：“我們使用顯微鏡的物鏡對激光光源進行聚焦，并且可以控制光場中只有聚焦體積（focal volume）部位照射到的部分被光阻膠吸收?！?/p>

這種多光子技術(shù)名為光致鈍化法解析度拓展（Resolution Augmentation through Photo-Induced Deactivation (RAPID)），成像方法是使用激光光源對光阻膠先進行一次初步曝光，然后再在第二次曝光中完成整個成像過程，這樣只有兩次光源照射到的交疊部位才會完全成像，如此便可實現(xiàn)曝光區(qū)域的納米級尺度。

該研究小組已經(jīng)將這種技術(shù)的前身應(yīng)用到了芯片內(nèi)3-D材料的聚合工藝（多光子吸收聚合技術(shù)Multi-photon Absorption Polymerization (MAP)）中去，使用這種工藝，研究小組已經(jīng)在芯片內(nèi)造出了微型電感元件。而RAPID技術(shù)則是這種技術(shù)的后續(xù)發(fā)展成果，使用RAPID技術(shù)，人們可以使用聚焦后的可見光作為納米級光刻的光源，而不必使用極紫外EUV光源。

另外，相比EUV系統(tǒng)必須在真空環(huán)境下工作的特性，這種新技術(shù)在常壓環(huán)境下即可實現(xiàn)。

研究小組的下一步計劃是在實際的晶圓上試驗這種技術(shù)，并稱RAPID技術(shù)有望在10年內(nèi)實現(xiàn)商業(yè)化。